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首页 SCI期刊 工程技术 4区 Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics(非官网)
Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics杂志

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研究类文章占比:97.77%

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics

国际标准简称:J NANOELECTRON OPTOE

人气 598

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》是一本专注于工程电子与电气领域的English学术期刊,创刊于2006年,由AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS出版商出版,出版周期Tri-annual。该刊发文范围涵盖工程电子与电气等领域,旨在及时、准确、全面地报道国内外工程电子与电气工作者在该领域的科学研究等工作中取得的经验、科研成果、技术革新、学术动态等。该刊已被SCI、SCIE数据库收录,在中科院JCR最新升级版分区表中,该刊分区信息为大类学科工程技术4区,2023年影响因子为0.6。

  • 4区

    中科院分区
  • Q4

    JCR分区
  • SCI / SCIE

    期刊收录
  • 是否预警
ISSN:1555-130X
出版地区:UNITED STATES
出版周期:Tri-annual
E-ISSN:1555-1318
创刊时间:2006
出版语言:English
是否OA开放访问:未开放
研究方向:工程技术-工程:电子与电气
影响因子:0.771
年发文量:200
出版商:AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS
平均审稿速度:约1.0个月

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics期刊简介

JNO is a cross-disciplinary peer-reviewed journal to consolidate all experimental and theoretical research activities in the areas of nanoscale electronic and optoelectronic materials and devices, electronic and optical properties of semiconductors, inorganic, organic, and hybrid nanostructures, electronic applications of superlattices, quantum structures, and other nanostructures, optoelectronic and photonic applications of novel functional materials and nanostructures, nanoelectronic circuits and device integration, nanofabrication, processing and characterization techniques, information processing and optical communications.

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics中科院分区

中科院分区2023年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区2022年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区2021年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区2021年12月基础版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区2021年12月升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区2020年12月旧的升级版

大类学科 分区 小类学科 分区 Top期刊 综述期刊
工程技术 4区 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 纳米科技 PHYSICS, APPLIED 物理:应用 4区 4区 4区

中科院分区:中科院分区是SCI期刊分区的一种,是由中国科学院国家科学图书馆制定出来的分区。主要有两个版本,即基础版和升级版。基础版是《2019年中国科学院文献情报中心期刊分区表》;升级版是对基础版的延续和改进,将期刊由基础版的13个学科扩展至21个,科研评价将更加明确。

JCR分区

JCR 分区等级 JCR 学科 分区
Q4 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q4
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY Q4
PHYSICS, APPLIED Q4

JCR分区:JCR(Journal Citation Reports)由科睿唯安公司(前身为汤森路透)开发。JCR没有设置大类,只将期刊分为176个具体学科,也就是中科院分区中的小类学科。基于不同学科的当年影响因子高低进行排序,将期刊的数量均匀分为四个部分,Q1区代表学科分类中影响因子排名前25%的期刊,以此类推,Q2区为前25%-50%期刊,Q3区为前50%-75%期刊,Q4区为75%以后期刊。

其它数据分析对比

近年中科院JCR分区趋势图

近年IF值(影响因子)趋势图

影响因子:是美国科学信息研究所(ISI)的期刊引证报告(JCR)中的一项数据。指的是某一期刊的文章在特定年份或时期被引用的频率,是衡量学术期刊影响力的一个重要指标。自1975年以来,每年定期发布于“期刊引证报告”(JCR)。

发文统计(统计区间:2019年-2021年)

机构名称 发文量
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY... 47
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY 16
COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CU... 15
ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT IN... 15
CHONGQING UNIVERSITY 14
UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA 14
KING KHALID UNIVERSITY 12
KING SAUD UNIVERSITY 10
ASSIUT UNIVERSITY 9
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES 9
国家/地区 发文量
CHINA MAINLAND 322
India 133
South Korea 50
Saudi Arabia 44
Iran 41
Egypt 31
Pakistan 30
Malaysia 27
Turkey 26
Algeria 24
文章引用名称 引用次数
Investigation of Ta/NII-WO3/FTO ... 10
A One Pot Room Temperature Synth... 9
Electrical Sensor Based on Hollo... 8
Iron Oxide (Fe3O4)-Graphene Oxid... 8
Hydrothermally Grown Copper-Dope... 7
High UV-to-Visible Rejection Rat... 6
Effect of the Electrolyte on Cap... 6
On the Frequency-Voltage Depende... 6
Comparative Analysis Among Singl... 6
Flexible Sensors Based on Ag/Pol... 6
被引用期刊名称 数量
J NANOELECTRON OPTOE 106
J NANOSCI NANOTECHNO 20
PHYSICA B 18
J MATER SCI-MATER EL 15
MATER RES EXPRESS 14
CERAM INT 13
OPTIK 13
SCI ADV MATER 13
J ALLOY COMPD 10
APPL PHYS A-MATER 9
引用期刊名称 数量
IEEE T ELECTRON DEV 273
APPL PHYS LETT 202
J APPL PHYS 133
IEEE ELECTR DEVICE L 116
J NANOELECTRON OPTOE 106
PHYS REV B 94
THIN SOLID FILMS 87
APPL SURF SCI 83
NANO LETT 81
SUPERLATTICE MICROST 77

投稿注意事项

文章要求:

1、建议稿件控制10页以上,文章撰写语言为英语;(单栏格式,单倍行距,内容10号字体,文稿类型包含:原创研究(Original Research)、案例报告(Case Report)、文献综述(Literature Review)等;文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重复率控制10%以内,论文务必保证原创性、图标、公式、引文等要素齐备,保证附属资料的完整。已发表或引用过度的文章将不会被出版和检索,禁止一稿多投,拒绝抄袭、机械性的稿件。

3、稿件必须有较好的英语表达水平,有图,有表,有公式,有数据或设计,有算法(方案,模型),实验,仿真等;参考文献控制25条以上,参考文献引用一半以上控制在近5年以内。

图片和图表要求:

1、建议使用TIFF、EPS、JPEG格式 ,TIFF格式 使用LZW压缩。

2、文件大小最大不超过20MB,不要以单个文件的形式上传数据。

3、彩色图片的分辨率≥300dpi;黑白图片的分辨率在≥500dpi;line art图片类型的分辨率≥1000dpi;色彩模式建议采用RGB,除非期刊注明要CMYK。

4、线条不要细于0.25pt,也不能太粗,超过1.5pt,过细或过粗都影响美观。

5、表格一般和manuscrript放置在一个word文档里部分期刊 需要单独上传表格。

作者信息:

1、包括作者姓名、最高学位,作者单位(精确到部门),邮箱,地址,邮编,关键词,内容,总结,项目基金,参考文献,作者相片+简介(一定要确保作者信息准确无误,提交稿件之后这部分不能再作改动)。

更多征稿细则请查阅杂志社征稿要求。本站专注期刊投稿服务十年,确保SCI检索,稿件信息安全保密,合乎学术规范不成功不收费,详情请咨询客服。

杂志社联系方式

AMER SCIENTIFIC PUBLISHERS, 25650 NORTH LEWIS WAY, STEVENSON RANCH, USA, CA, 91381-1439

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